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祝贺课题组陈宏彦博士获得Lam Research-复旦大学 微电子论文奖学金                                                                     2018-3-13
日本国立佐贺大学郭其新教授来访                                2018-2-27
 

研究方向

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先进集成电路工艺,如原子层淀积(ALD)纳米级功能薄膜

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新型高迁移率半导体材料与器件器件,如III-V基、ZnO基、Si纳米线晶体管

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基于微纳结构的新型MEMS器件,如光电、气体、生物传感器及能源器件

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混合信号和存储器的集成电路设计,包括RRAM,PRAM,SRAM,DRAM,NAND等

课题组成员

 
 
 
卢红亮
复旦大学微电子学院教授
Email: honglianglu@fudan.edu.cn   

教育与工作经历

  • 2003 – 2006  复旦大学微电子学系,博士
  • 2006 – 2007  意大利微电子材料与器件国家实验室,博士后研究员
  • 2007 – 2009  日本东京大学电气工程系,日本学术振兴会JSPS研究员
  • 2010 – 2014  复旦大学微电子学院,副教授
  • 2014 – 至今   复旦大学微电子学院,教授
 

2006年7月毕业于复旦大学微电子系,获得微电子学与固体电子学博士学位,并获得上海市优秀毕业生称号。2006年11月至2007年10月,作为一名博士后人员,受邀进入到意大利微电子材料和器件(MDM)国家实验室继续进行半导体材料和工艺技术方面的研究。2007年至2009年,获得日本学术振兴协会(JSPS)的资助,作为外国人特别研究员,进入到东京大学电气工程系进行为期2年的学术研究。2010年7月,进入复旦大学微电子学院工作,任副教授、教授,主要的研究方向为应用于下一代集成电路工艺的新型半导体材料与器件。在此期间,作为第一负责人,承担多项研究课题,并已在国内外期刊发表学术论文98篇,其中SCI收录70篇,EI收录55篇,申请国内专利21项,并为Nanoscale, Scientific Reports, Applied Physics Letters, Chemistry of Materials等国际期刊审稿。现为IEEE会员,中国ALD学术会议秘书长,上海市真空协会常务理事,上海市电子学会会员,2015年度复旦大学卓学计划,2015年度复旦大学青年研究创新项目-学术带头人,2017年度上海市真空青年创新奖。

博士后

杨建国
博士后
jianguoyang13@fudan.edu.cn
 
马宏平
博士后
hpma@fudan.edu.cn

博士研究生

陈宏彦
博士四年级
14110720045@fudan.edu.cn
任青华
博士四年级
14110720056@fudan.edu.cn
王韬
博士三年级
15110720069@fudan.edu.cn
袁凯平
博士三年级
15110720040@fudan.edu.cn
陈金鑫
博士二年级
jinxinchen16@fudan.edu.cn
陶佳佳
博士一年级
17112020036@fudan.edu.cn
顾洋
博士一年级
yanggu13@fudan.edu.cn

硕士研究生

李幸
硕士一年级
17212020021@fudan.edu.cn

本科生

朱立远
本科四年级
14307130368@fudan.edu.cn